檢索結果：共10筆資料 檢索策略： "黃鶯聲".ccommittee (精準) and year="101"
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本實驗主要探討熱退火溫度對於二氧化鈦(Titanium dioxide, TiO2)與氧化鋅(Zinc oxide, ZnO)的影響, 光電導效率及表面物理機制. 利用定義歸一化增益(Γn), 去除…
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本論文根據學長所做的氮化鎵發光二極體的電流阻擋層結構，對擴散理論與實驗做了更深入的探討。藉由調整快速升溫退火爐不同的時間及溫度，而後由二次離子質譜儀(SIMS)分析得到不同溫度下的擴散係數，因而決定…
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本論文成功利用熱燈絲化學氣相沉積法 (Hot Filament Chemical Vapor Deposition) ，成長氧化鎳奈米結構並研究在不同基板下成長各氧化鎳的奈米結構薄膜及進行其結構與光…
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細菌可以快速的適應複雜的生存條件且大量複製，有別於一般生物需要多種困難的調和。透過理解細菌代謝過程，可以方便了解生物的合成與分解狀況。 生物代謝經常利用合成途徑的終產物，去抑制代謝途徑所參與之酵素，…
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此實驗使用反應式離子束濺鍍法沉積摻氮氧化鋅薄膜，採用陽極層離子源，以鋅為靶材，同時通入氬氣、氧氣及氮氣，探討氧/氮流量對摻氮氧氧化鋅薄膜的特性影響。實驗結果顯示在氧流量0.5 ~ 4.0 sccm，…
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本論文利用化學氣相傳導法 (Chemical vapor transport method, CVT) 成長硫化鎵晶體，目前成功成長出Ga2S3晶體，之後進行晶體結構與光學特性分析。藉由能量散佈儀 …
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石墨烯為一新興二維碳材料，擁有較矽良好之導電性質，而室溫下具備高電子遷移率，使其多應用於場效電晶體之製作。以電子做為傳輸之N型電晶體的效能較P型佳，因此本實驗以N型材料為電晶體的通道。由於空氣中的水…
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此實驗以反應式離子束濺鍍法成長氧化銀薄膜，採用毛細式離子源(6∼8 kV、100∼500 uA)及陽極層離子源 (0.7 kV、13.5 mA) ，同時通入氬氣及氧氣，氬氣為濺鍍氣體，氧氣為反應氣體…
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本論文利用乾式蝕刻與氧化物製作新型脊狀載子侷限結構並應用於研發氮化鎵垂直共振腔面射型光源。目前最常使用之侷限結構為氧化物侷限，而常用的方式多為蒸鍍或濺鍍氧化物於晶圓上來製作載子侷限結構。本論文分別製…
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The Ga doped-ZnO (GZO) thin film has been demonstrated to have low resistivity and high transparenc…